。頒恥、濱蒼、騁補(bǔ)和廠別蒸發(fā)源提供成膜時(shí)的四種元素。原子吸收譜(礎(chǔ)礎(chǔ)廠)和電子碰撞散射譜(貳貳濱廠)等用來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜成分及蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率等參數(shù)，對(duì)薄膜生長(zhǎng)進(jìn)行精確控制。高效頒濱頒廠太陽(yáng)電池沉積時(shí)的襯底溫度般高于530℃，而每個(gè)蒸發(fā)源的溫度必須個(gè)別調(diào)整，以控制元索的蒸發(fā)速率，進(jìn)而控制所沉積出頒恥瀕蒼1-蟲(chóng),.騁補(bǔ)齒,廠別2薄膜的化學(xué)計(jì)量比。。

　　，所以利用頒恥、濱蒼和頒補(bǔ)的原子流通量就可以控制博膜組成及成長(zhǎng)速率。濱蒼與騁補(bǔ)的相對(duì)組成比例界定了帶院的大小。廠別具有很高的蒸氣壓和較低的黏附系數(shù)，所以揮發(fā)出來(lái)的廠別的原子流通量必須大于頒恥、濱蒼和頒補(bǔ)的總量，過(guò)量的廠別會(huì)從薄膠表面再次蒸發(fā)。如果廠別的量不足，便會(huì)導(dǎo)致濱蒼和頒補(bǔ)以濱蒼,廠別和頒補(bǔ),廠別的形態(tài)損失掉。通過(guò)對(duì)頒濱頒廠薄膜生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的研究，發(fā)現(xiàn)頒恥蒸發(fā)速率的變化強(qiáng)烈影響薄膜的生長(zhǎng)機(jī)制。根據(jù)頒恥的蒸發(fā)過(guò)程，共蒸法工藝可以分為一步法、兩步法和叁步法。。

　　，這種濱藝控制相對(duì)簡(jiǎn)單,適合商業(yè)化生產(chǎn)，但所制備的薄膜晶粒尺寸小且不形成梯度帶隙。

　　，襯底溫度和蒸發(fā)源流量變化曲線先在襯底溫度為400詞450℃時(shí)，沉積第層富頒恥的頒濱騁廠薄膜，該層具有小的晶粒尺寸和低的電阻率。第二層薄膜是在高襯底溫度(550℃)下沉積的貧頒恥的頒濱騁廠海膜，這層膜具有大的晶粒尺寸和高的電阻率。。

　　,用共蒸法使90%的In 、Ga和Se元素形成( Ing ,Ca3)2Se,預(yù)制層,Se/(In +Ga)流量比大于3;第二步，在襯底溫度為550 - 580C時(shí)蒸發(fā)Cu .Se,直到薄膜稍微富Cu時(shí)結(jié)束;第三步，在保持第二步襯底溫度條件下，共蒸剩余10%的In 、Ga和Se，在薄膜表面形成富In的薄層，并終得到接近化學(xué)計(jì)算比的CuIn0.7,Ca0.3,Se2薄膜，該工藝所制備的。

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