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基,,其主要結(jié)論有以下幾點:
,差別在于前者具有更大的俘獲截面。
②在光譜響應上, 光由P↑層人射的非晶硅太陽電池( ITO/P-I-N/SS)光誘導效應的結(jié)果使長波響應下降,而光由N*層人射的非晶硅太陽電池( ITO/N-I-P/SS)光
,而對上述兩種電池來說,均在狽*/濱界面具有大的復合速率。
,從而使得空穴的書散長度及μζ乘積值下降,即電池的衰減主要由濱層所致。
。
。
,而電池的開路電壓相對地衰減較小。
⑧在150 ~ 200C的退火條件下,太陽電池的性能可以重新恢復。
、崴p程度與濱層厚度有關,當小于300蒼塵時,太陽電池性能相對比較穩(wěn)定。
⑩太陽電池工作在高溫(高于90頒)時其光致衰減較小,有可能是缺陷的產(chǎn)生與退火作用相平衡所致。
、咸栯姵厥芄庹之后其結(jié)品質(zhì)因子增大。
、性1層中加人少量(約1x 10*)硼或磷均可改善太陽電池的穩(wěn)定性,但必須”格控明,
否則可能導致轉(zhuǎn)換效率的下降,
、 ITO/P-I-N/SS太陽電池與TO/N-L-P/SS太陽電池相比,前者的光致衰減較羽。
綜合以上分析,可以把太陽電池衰減的原因歸納為兩點:一是1層中帶隙中心附近費不能級的移動:二是1層中帶院下半部態(tài)密度的增加。
因此測量到了非晶硅太陽電池的光致衰減。另種觀點則認為,在非晶硅網(wǎng)絡中已存在了缺陷,光照或退火的作用僅改變了它們的電荷狀態(tài)或鍵的構(gòu)成。但無論何種模型都認為,摻硼可削弱非晶硅網(wǎng)絡中的缺陷。
通過廣泛的研究可以肯定,。這樣,非晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率的光照衰減會降至低,然而需要指出的是,非晶硅太陽電池的光致衰減過程并非僅由廠-奧效應所引起,還有其他因素,仍需進行深入的研究。
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