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　　這種結(jié)構(gòu)中存在許多懸掛鍵，通過氫原子可以與懸掛鍵結(jié)合使之鈍化，形成氫化非晶硅(補(bǔ)-廠頸:貶)。

　。具有較高的光敏性。其吸收峰分布與太陽光譜峰分布相近，有利于太陽光的利用，故適合制作薄膜太陽電池。雖然從光吸收來說氫化非晶硅材料適合制備薄膜太陽電池，但其本身也存在一些 難以克服的問題。 首先，其光學(xué)帶隙在 1.7eV左右,這-帶隙的材料主要吸收可見光波段的太陽光，對長波段的太陽光不敏感，這限制了非晶硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率的提高;其次，非晶硅太陽電池在光照下轉(zhuǎn)換效率會有所降低，即存在光致衰退效應(yīng)(S.W效應(yīng))，電池的穩(wěn)定性較差。針對非晶硅薄膜電池的光致衰退問題，人們進(jìn)行了長期的研究,并取得了顯著進(jìn)展。通過改善非晶硅材料的性能、優(yōu)化電池陷光結(jié)構(gòu)，。

　　。其中,P-I-N型薄膜電池通常沉積在透明性較好的玻璃或耐高溫塑料襯底上;而N-I-P型薄膜薄膜電池通常沉積在不透明或透光性較差的聚酯或不銹鋼襯底上，P-I-N 型電池對應(yīng)能帶內(nèi)部的斜線表征帶尾態(tài)。由于非晶硅薄膜帶尾態(tài)的存在，非晶硅電池會產(chǎn)生一些無效光生載流子。因為P層收集空穴，而空穴的遷移率較低，以P層作為迎光層,縮短了光生空穴向P層傳輸?shù)木嚯x，所以，