準單晶技術總結

　　一，準單晶的概念

　　準單晶（Mono Like ）是基于多晶鑄錠的工藝，在長晶時通過部分使用單晶籽晶，獲得外觀和電性能均類似單晶的多晶硅片。這種通過鑄錠的方式形成單晶硅的技術，其功耗只比普通多晶硅多5%，所生產的單晶硅的質量接近直拉單晶硅。簡單地說，這種技術就是用多晶硅的成本，生產單晶硅的技術。

　　二，準單晶的生產工藝

　　準單晶主要有兩種鑄錠技術：

　　（1）無籽晶鑄錠。無籽晶引導鑄錠工藝對晶核初期成長控制過程要求很高。一種方法是使用底部開槽的坩堝。這種方式的要點是精密控制定向凝固時的溫度梯度和晶體生長速度來提高多晶晶粒的尺寸大小，槽的尺寸以及冷卻速度決定了晶粒的尺寸，凹槽有助于增大晶粒。因為需要控制的參數(shù)太多，無籽晶鑄錠工藝顯得尤為困難。其要點是精密控制定向凝固時的溫度梯度和晶體生長速度來提高多晶晶粒的尺寸大小，形成所謂的準單晶。這種準單晶硅片的晶界數(shù)量遠小于普通的多晶硅片。無籽晶的單晶鑄錠技術難點在于控溫。

　　（2）有籽晶鑄錠。當下量產的準單晶技術大部分為有籽晶鑄錠。這種技術先把籽晶、硅料摻雜元素放置在坩堝中，籽晶一般位于坩堝底部，再加熱融化硅料，并保持籽晶不被完全融掉，最后控制降溫，調節(jié)固液相的溫度梯度，確保單晶從籽晶位置開始生長。這種技術的難點在于確保在熔化硅料階段，籽晶不被完全融化，還有控制好溫度梯度的分布，這個是提高晶體生長速度和晶體質量的關鍵。

　　叁，準單晶產物的優(yōu)勢

　　1.轉換效率高于普通多晶，接近直拉單晶電池片。

　　2.與普通多晶電池片相比LID 基本無變化，性能穩(wěn)定。

　　3.比起普通多晶，組件功率提升明顯，單位成本降低。

　　4.可封裝250 瓦（60 片排布），或300 瓦（72 片排布）的大組件。

　　5.適用于對安裝面積有限制要求的特殊場合。

　　單晶硅電池雖然具備晶體缺陷少、織結構工藝下反射率低、機械強度高等優(yōu)勢，但其成本較高、光衰嚴重、電耗也高。多晶硅電池較單晶硅電池相比能耗少、衰減低、成本低，不過轉換效率較差。直拉單晶和準單晶鑄錠對比：

　　1.直拉單晶方法生產的單晶硅制造的太陽能電池最高轉換效率為18.5%，采用準單晶鑄錠生產的硅材料所制造的太陽能電池轉換效率為18.3%；

　　2.直拉單晶硅每爐的投料約為100 公斤，準單晶硅鑄錠爐的單次投料達到430 公斤，投料量增加為前者的四倍；

　　3.基于直拉單晶硅材料生產的電池片的衰減率為2%以上，基于準單晶鑄錠所生產的電池片衰減率降低至0.5%以下，并且性能更穩(wěn)定；